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Trench Gate
Power MOSFET
IXTA 86N20T
IXTP 86N20T
IXTQ 86N20T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200 V
= 86 A
≤ 29 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
200
200
± 30
V
V
V
G
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C*
86
A
I L
I DM
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
75
260
A
A
TO-220 (IXTP)
I AS
E AS
T C =
T C =
25 ° C
25 ° C
10
1.0
A
J
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 3.3 Ω
3
V/ns
G
D S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
480
-55 ... +175
175
-55 ... +175
W
° C
° C
° C
TO-3P (IXTQ)
T L
T SOLD
M d
Mounting Torque (TO-220, TO-3P) 1.13 / 10 Nm/ lb.in.
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s 300 ° C
Plastic body for 10 seconds 260 ° C
G
D
S
(TAB)
F C
Weight
Mounting
Force
(TO-263) 10...65/2..5..15 N/lb.
TO-263 2 g
TO-220
3
g
TO-3P
5.5
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
200
V
- easy to drive and to protect
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1 mA
3.0
5.0
V
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
± 200
nA
Advantages
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1
250
μ A
μ A
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
29
m Ω
DS99664(08/06)
? 2006 IXYS All rights reserved
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